<button id="gqee6"><input id="gqee6"></input></button>
  • <rt id="gqee6"><tr id="gqee6"></tr></rt>
    • 863計劃信息技術領域2014年度備選項目征集指南

      2013年04月19日11:43 | 中國發展門戶網 www.chinagate.cn | 給編輯寫信 字號:T|T
      關鍵詞: 可調濾波器 智能終端 資源受限 網絡控制設備 描述模型 自動生成技術 高頻大功率 播控服務器 驗證平臺 LTE-Advance

      3.微電子與光電子技術

      3.1 14納米以下技術代硅基新型器件及關鍵工藝技術研究

      本研究內容下設1個研究方向。

      3.1.1 14納米以下技術代硅基新型器件及關鍵工藝技術研究(國撥經費限3000萬元、企業牽頭申報,實施年限3年)

      以突破14納米以下尺度器件的功耗瓶頸為目標,在新結構、新原理、新材料和新工藝研究的基礎上,提出新器件實現方案并開展相關工藝技術研究,探索新器件與電路之間的協同設計方法,為我國集成電路技術的可持續發展提供具有自主知識產權的解決方案。

      3.2高效能近閾值集成電路關鍵技術研究

      本研究內容下設1個研究方向。

      3.2.1高效能近閾值集成電路關鍵技術研究(國撥經費限2500萬元,實施年限3年)

      突破近閾值集成電路器件模型、可靠性、電路設計和容錯設計等關鍵技術,器件、電路設計、設計工具環境、SoC芯片原型及演示系統四個層次的研究內容:研究寬電壓、高精度器件模型、時序偏差容忍電路設計方法和高效能電路架構,開發近閾值電路單元庫及配套設計工具環境,設計一款高性能、高效能SoC芯片原型及其應用演示系統,在保證SoC峰值性能的前提下,應用場景效能比提高一倍以上。

      3.3移動智能終端大容量存儲關鍵技術研究

      面向移動互聯網智能終端大容量存儲的產品和技術需求,突破全兼容可配置存儲控制技術,基于先進工藝NAND FLASH的高性能存儲控制技術和大容量固態硬盤(SSD)設計技術,開發移動智能終端SoC存儲控制器IP核、高性能存儲控制芯片和大容量SSD,并實現示范應用。下設3個研究方向。

      3.3.1移動智能終端SoC存儲控制器IP核關鍵技術研究(國撥經費限600萬元,實施年限3年)

      針對移動智能終端SoC芯片存儲控制IP核高性能、兼容性和可靠性的技術需求,突破全兼容可配置的校驗糾錯算法、塊管理算法和文件管理技術,研究高吞吐率緩存電路設計和數據可靠存儲技術,開發一款支持多種工藝節點NAND FLASH、支持ONFI 3.0接口的控制器IP核,集成到SoC芯片驗證,形成演示系統。

      3.3.2移動智能終端的高性能存儲控制芯片關鍵技術研究(國撥經費限800萬元,實施年限3年)

      針對移動智能終端產品對高性能、長壽命和低成本大容量存儲的技術需求,突破TLC NAND FLASH帶來的高速數據傳輸、可靠數據存儲和長壽命使用等技術難點,研究數據校驗糾錯算法、塊管理算法和高速傳輸架構,設計一款支持ONFI 3.0接口和eMMC接口、128GB NAND FLASH的控制器芯片,實現移動智能終端產品解決方案。

      3.3.3面向移動智能終端應用的大容量固態硬盤關鍵技術研究(國撥經費限800萬元,企業牽頭申報,實施年限3年)

      針對移動智能終端對外接高速、大容量固態硬盤產品的技術需求,突破高性能、高帶寬固態硬盤控制技術,多片FLASH組織和USB高速接口技術,研究固態硬盤SSD控制芯片的校驗糾錯算法、多片FLASH管理算法、文件系統和高速傳輸架構,設計一款支持512GB NAND FLASH,支持ONFI 3.0接口和USB 3.0接口的SSD控制芯片,實現SSD系統原型和應用演示。

      3.4新一代移動通信基站氮化鎵射頻功率放大器

      本研究內容下設1個研究方向。

      3.4.1新一代移動通信基站氮化鎵射頻功率放大器(國撥經費限2000萬元,實施年限3年)

      研究具有自主知識產權的基于SiC(碳化硅)襯底的GaN(氮化鎵)功放器件及模塊,針對LTE-Advance系統的應用,GaN(氮化鎵)功放相比傳統的LDMOS功放具有更大的帶寬、更高的效率及更小的體積等諸多優點,將替代目前的Si LDMOS管成為無線基站射頻功放的主流功率放大器件。并完成在帶寬100MHz以上的LTE系統中的應用驗證。

      3.5寬帶模擬通信用光收發陣列芯片與模塊

      為滿足4G移動通信中寬頻帶傳輸和低功耗無線接入的重大需求,研究高線性直接調制激光器陣列芯片、高頻大功率光探測器陣列芯片、陣列芯片模塊化耦合封裝、多制式寬頻帶光載無線傳輸與分配等關鍵技術,并進行系統示范應用,填補國內高線性模擬通信光收發模塊的空白。下設2個研究方向。

      3.5.1高線性激光器和光探測器陣列芯片(國撥經費限1100 萬元,實施年限3年)

      針對光載無線(RoF)組網技術對激光器和光探測器的要求,研制出模擬通信激光器陣列芯片,研制1310nm波段4通道模擬通信激光器陣列芯片和大功率光探測器陣列芯片,高頻響應覆蓋X波段以下頻率范圍,激光器單信道出纖光功率大于6dBm、光探測器飽和光功率大于5dBm。

      3.5.2寬頻帶光收發模塊與系統驗證(國撥經費限1100萬元,實施年限3年)

      針對光載無線(RoF)組網技術對光發射機和光接收機的要求,研究大動態直接調制激光器和探測器集成芯片的微波封裝技術,研制傳輸帶寬大于10GHz的4通道模擬通信光收發模塊,傳輸距離大于10km,并完成系統實驗驗證。

         上一頁   1   2   3   4   5   下一頁  


      返回頂部文章來源: 中國發展門戶網
      主站蜘蛛池模板: 男人日女人app| 亚洲日本在线观看网址| 亚洲爆乳少妇无码激情| 亚洲精品视频久久| 久久久无码一区二区三区| 国产成人免费全部网站| 美女爽到尿喷出来| 老司机久久影院| 久热青青青在线视频精品| 麻豆精产国品一二三产品区| 精品女同一区二区三区免费站| 99在线观看精品视频| 戍人视频fc2最近一周| 波多野结衣办公室在线| 国产三级在线视频播放线| 性xxxxx欧美极品少妇| 精品亚洲麻豆1区2区3区| 国产人妖XXXX做受视频| 亚洲av无码专区在线播放| r18bl各种play高h| 成人性生交大片免费看| 在线一区二区三区| 青草青视频在线观看| 成年人网站免费视频| 亚洲va在线∨a天堂va欧美va| 奇米影视777me| 在线私拍国产福利精品| 夫妇当面交换中文字幕小说| 最近2019免费中文字幕视频三| 黄瓜视频在线观看视频| 第一章岳婿之战厨房沈浩| 成年大片免费视频| 亚洲永久精品ww47| 在我跨下的英语老师景老师| 最近免费韩国电影hd视频| 51久久夜色精品国产| 边摸边吃奶边做爽免费视频99| 污污视频网站免费在线观看| 欧美黑人巨大xxxxx| 五月天亚洲婷婷| 麻豆精品传媒视频观看|