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附件1
2014年項目指南說明
1. 項目任務(wù):40nm集成電路制造用300mm硅片技術(shù)研發(fā)
項目編號:2014ZX02405
項目類別:材料技術(shù)研發(fā)
項目目標(biāo):
1) 研究開發(fā)300mm硅單晶生長、硅片加工、外延片制備、硅片分析檢測等300mm硅片產(chǎn)業(yè)化全套生產(chǎn)技術(shù),滿足40nm集成電路生產(chǎn)線產(chǎn)品技術(shù)要求,通過用戶企業(yè)驗證考核及供應(yīng)商資質(zhì)認(rèn)證,實現(xiàn)批量供貨;
2) 承擔(dān)企業(yè)應(yīng)有月產(chǎn)不低于10萬片300mm硅片的投資與實施計劃,構(gòu)建與集成電路行業(yè)國際先進(jìn)水平接軌的技術(shù)和管理人才團(tuán)隊,建立完善的技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)運(yùn)行、品質(zhì)管理、市場開拓運(yùn)行體系;
3) 項目完成時,月銷售不低于1萬片。
項目承擔(dān)單位要求:中國大陸境內(nèi)注冊的、具有獨立法人資格的硅片制造企業(yè)。
組織實施方式:公開發(fā)布、擇優(yōu)支持
資金來源:中央:地方:企業(yè)=1:0.5:1,前立項后補(bǔ)助
執(zhí)行期限:2014-2016
2. 項目任務(wù):電子級多晶硅材料研發(fā)
項目編號:2014ZX02404
項目類別:材料技術(shù)研發(fā)
項目目標(biāo):針對40nm集成電路用12英寸硅單晶產(chǎn)品要求,研究開發(fā)電子級多晶硅生產(chǎn)技術(shù),提升產(chǎn)品品質(zhì),產(chǎn)品純度高于11N;本征基磷電阻率高于500 Ohmcm, 本征基硼電阻率高于5000 Ohmcm;碳含量低于80ppba;體金屬總含量小于1.5ppbw;表面金屬含量要求:Fe小于0.25ppba、Cu小于0.025 ppba、Ni小于0.04 ppba、Cr小于0.045 ppba、Zn小于0.09 ppba、Na小于0.98 ppba、Al小于0.52 ppba、K小于0.43 ppba;通過硅片生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)品驗證考核與供應(yīng)商資質(zhì)認(rèn)證,簽訂長期供應(yīng)合同,集成電路硅片用多晶硅年銷售不低于200噸。
項目承擔(dān)單位要求:中國大陸境內(nèi)注冊的、具有獨立法人資格的多晶硅制造企業(yè)。
組織實施方式:公開發(fā)布、擇優(yōu)支持
資金來源:中央:地方:企業(yè)=1:0.5:1,后立項后補(bǔ)助
執(zhí)行期限:2014-2016
3. 項目任務(wù):先進(jìn)裝備與材料在AMOLED領(lǐng)域中的應(yīng)用開發(fā)
項目類別:裝備技術(shù)研發(fā)
項目編號:2014ZX02601
項目目標(biāo):基于 02專項在集成電路裝備、材料等領(lǐng)域研發(fā)取得的相關(guān)技術(shù),支持在AMOLED等新型顯示領(lǐng)域開發(fā)應(yīng)用,推動新型顯示裝備、材料開發(fā)應(yīng)用,提升顯示產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力。
重點支持:
1. AMOLED設(shè)備應(yīng)用:面向G4.5及以上AMOLED等平板顯示領(lǐng)域需求,針對新型顯示領(lǐng)域?qū)饪虣C(jī)、刻蝕機(jī)、PVD、CVD、清洗機(jī)、激光退火等要求,聯(lián)合集成電路裝備企業(yè)開展相關(guān)技術(shù)的應(yīng)用開發(fā)及工藝驗證,用過用戶考核,形成批量制造能力并實現(xiàn)銷售;
2. AMOLED材料應(yīng)用:針對G4.5及以上平板顯示領(lǐng)域?qū)﹃P(guān)鍵材料的要求,聯(lián)合集成電路靶材、特種氣體、顯影液、刻蝕液、光刻膠等關(guān)鍵材料企業(yè),進(jìn)行相關(guān)技術(shù)的應(yīng)用開發(fā)及工藝驗證,通過用戶考核,實現(xiàn)關(guān)鍵材料的長期供貨。
項目承擔(dān)單位要求:中國大陸境內(nèi)注冊的、具有獨立法人資格的大型平板顯示產(chǎn)品制造企業(yè),聯(lián)合裝備、材料企業(yè)和研究單位承擔(dān)。
組織實施方式:公開發(fā)布,擇優(yōu)支持
資金來源:國撥:地方:企業(yè)=1 : 0.5:1
項目周期:2014-2016